Baza aktów prawnych Unii Europejskiej Cytaty odnotowujące konkretne użycie tłumaczeń słów angielsko-polskich i polsko-angielskich umieszczone w serwisie Translatica.pl pochodzą z Bazy danych DGT-TM, która jest wyłączną własnością Komisji Europejskiej i została udostępniona bezpłatnie i bez ograniczeń terytorialnych. Data dostępu do bazy 02.09.2019. Dokładne informacje nt. pochodzenia źródła tłumaczenia oraz daty powstania dokumentu w bazie DGT-TM zostały umieszczone pod poszczególnymi cytatami wraz z aktywnym odnośnikiem do oryginalnego dokumentu z bazy.
Lista cytatów w języku polskim i angielskim zawierająca frazę: wiązka
Zwierciadła do kierowania
wiązką
, mające średnicę albo długość osi głównej powyżej 100 mm, zachowujące płaskość rzędu lambda/2 lub lepszą (lambda jest równe 633 nm) i sterowane wiązką o szerokości... Beam
steering mirrors more than 100 mm in diameter or length of major axis, which maintain a flatness of lambda/2 or better (lambda is equal to 633 nm) having a control bandwidth exceeding 100 Hz.
Zwierciadła do kierowania
wiązką
, mające średnicę albo długość osi głównej powyżej 100 mm, zachowujące płaskość rzędu lambda/2 lub lepszą (lambda jest równe 633 nm) i sterowane wiązką o szerokości pasma powyżej 100 Hz; Beam
steering mirrors more than 100 mm in diameter or length of major axis, which maintain a flatness of lambda/2 or better (lambda is equal to 633 nm) having a control bandwidth exceeding 100 Hz.
Zwierciadła do kierowania
wiązką
, mające średnicę albo długość osi głównej powyżej 100 mm, zachowujące płaskość rzędu lambda/2 lub lepszą (lambda jest równe 633 nm) i sterowane wiązką o szerokości... Beam
steering mirrors more than 100 mm in diameter or length of major axis, which maintain a flatness of lambda/2 or better (lambda is equal to 633 nm) having a control bandwidth exceeding 100 Hz.
Zwierciadła do kierowania
wiązką
, mające średnicę albo długość osi głównej powyżej 100 mm, zachowujące płaskość rzędu lambda/2 lub lepszą (lambda jest równe 633 nm) i sterowane wiązką o szerokości pasma powyżej 100 Hz; Beam
steering mirrors more than 100 mm in diameter or length of major axis, which maintain a flatness of lambda/2 or better (lambda is equal to 633 nm) having a control bandwidth exceeding 100 Hz.
Jeżeli
wiązka
częściowa powoduje jedynie powstanie części poziomej granicy światła – cienia, regulacja pozioma, przy braku specyfikacji wnioskodawcy, nie jest określona żadnym zaleceniem.
if a partial
beam
provides a horizontal ‘cut-off’ only: no special requirements for horizontal adjustment apply if not specified by the applicant.
Jeżeli
wiązka
częściowa powoduje jedynie powstanie części poziomej granicy światła – cienia, regulacja pozioma, przy braku specyfikacji wnioskodawcy, nie jest określona żadnym zaleceniem.
if a partial
beam
provides a horizontal ‘cut-off’ only: no special requirements for horizontal adjustment apply if not specified by the applicant. Wiązka
drewniana Bundle
, wooden Wiązka
drewniana Bundle
, wooden
Korektora ustawienia świateł można również używać w celu automatycznego dostosowania odchylenia
wiązki
przednich świateł przeciwmgielnych w zależności od panujących warunków otoczenia, pod warunkiem...
The leveling device may also be used to automatically adapt the inclination of the front fog
beam
in relation to the prevailing ambient conditions, provided that the limits for the downward...
Korektora ustawienia świateł można również używać w celu automatycznego dostosowania odchylenia
wiązki
przednich świateł przeciwmgielnych w zależności od panujących warunków otoczenia, pod warunkiem że wartości graniczne odchylenia wiązki świateł w dół, podane w pkt 6.3.6.1.2.2., nie zostały przekroczone.
The leveling device may also be used to automatically adapt the inclination of the front fog
beam
in relation to the prevailing ambient conditions, provided that the limits for the downward inclination specified in paragraph 6.3.6.1.2.2. are not exceeded.
Korektora ustawienia świateł można również używać w celu automatycznego dostosowania odchylenia
wiązki
przednich świateł przeciwmgłowych w zależności od panujących warunków otoczenia, pod warunkiem...
The levelling device may also be used to automatically adapt the inclination of the front fog
beam
in relation to the prevailing ambient conditions, provided that the limits for the downward...
Korektora ustawienia świateł można również używać w celu automatycznego dostosowania odchylenia
wiązki
przednich świateł przeciwmgłowych w zależności od panujących warunków otoczenia, pod warunkiem że wartości graniczne odchylenia wiązki świateł w dół, podane w pkt 6.3.6.1.2.2, nie zostały przekroczone.
The levelling device may also be used to automatically adapt the inclination of the front fog
beam
in relation to the prevailing ambient conditions, provided that the limits for the downward inclination specified in paragraph 6.3.6.1.2.2 are not exceeded.
...czas trwania impulsu wiązki jest mniejszą z dwóch wartości: 1 μs lub czas trwania pakietu
wiązek
wynikających z jednego impulsu modulatora mikrofalowego.
...cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the
bunched beam
packet resulting from one microwave modulator pulse.
W maszynach bazujących na mikrofalowych akceleratorach rezonatorowych, czas trwania impulsu wiązki jest mniejszą z dwóch wartości: 1 μs lub czas trwania pakietu
wiązek
wynikających z jednego impulsu modulatora mikrofalowego.
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the
bunched beam
packet resulting from one microwave modulator pulse.
...czas trwania impulsu wiązki jest mniejszą z dwóch wartości: 1 μs lub czas trwania pakietu
wiązek
wynikających z jednego impulsu modulatora mikrofalowego.
...cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the
bunched beam
packet resulting from one microwave modulator pulse.
W maszynach bazujących na mikrofalowych akceleratorach rezonatorowych, czas trwania impulsu wiązki jest mniejszą z dwóch wartości: 1 μs lub czas trwania pakietu
wiązek
wynikających z jednego impulsu modulatora mikrofalowego.
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the
bunched beam
packet resulting from one microwave modulator pulse.
...czas trwania impulsu wiązki jest mniejszą z dwóch wartości: 1 μs lub czas trwania pakietu
wiązek
wynikających z jednego impulsu modulatora mikrofalowego.
...cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the
bunched beam
packet resulting from one microwave modulator pulse.
W maszynach bazujących na mikrofalowych akceleratorach rezonatorowych, czas trwania impulsu wiązki jest mniejszą z dwóch wartości: 1 μs lub czas trwania pakietu
wiązek
wynikających z jednego impulsu modulatora mikrofalowego.
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the
bunched beam
packet resulting from one microwave modulator pulse.
...czas trwania impulsu wiązki jest mniejszą z dwóch wartości: 1 μs lub czas trwania pakietu
wiązek
wynikających z jednego impulsu modulatora mikrofalowego.
...cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the
bunched beam
packet resulting from one microwave modulator pulse.
W maszynach bazujących na mikrofalowych akceleratorach rezonatorowych, czas trwania impulsu wiązki jest mniejszą z dwóch wartości: 1 μs lub czas trwania pakietu
wiązek
wynikających z jednego impulsu modulatora mikrofalowego.
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 μs or the duration of the
bunched beam
packet resulting from one microwave modulator pulse.
...trwania impulsu wiązki jest mniejszą z następujących dwóch wartości: 1μs lub czas emisji pakietu
wiązek
wynikających z jednego impulsu modulatora mikrofalowego.
...cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 µs or the duration of the
bunched beam
packet resulting from one microwave modulator pulse.
W maszynach bazujących na mikrofalowych akceleratorach rezonatorowych czas trwania impulsu wiązki jest mniejszą z następujących dwóch wartości: 1μs lub czas emisji pakietu
wiązek
wynikających z jednego impulsu modulatora mikrofalowego.
In machines based on microwave accelerating cavities, the time duration of the beam pulse is the lesser of 1 µs or the duration of the
bunched beam
packet resulting from one microwave modulator pulse.
Agar niezmielony zwykle występuje w postaci
wiązek
składających się z cienkich, błoniastych, zlepionych taśm lub w formie pociętej, w postaci płatków czy granulatu.
Unground agar usually occurs in
bundles
consisting of thin, membranous, agglutinated strips, or in cut, flaked or granulated forms.
Agar niezmielony zwykle występuje w postaci
wiązek
składających się z cienkich, błoniastych, zlepionych taśm lub w formie pociętej, w postaci płatków czy granulatu.
Unground agar usually occurs in
bundles
consisting of thin, membranous, agglutinated strips, or in cut, flaked or granulated forms.
Udziec bardzo mocno zaokrąglony „podwójnie” umięśniony wyraźnie oddzielne
wiązki
mięśni
Round very highly rounded doublemuscled visibly separated seams
Udziec bardzo mocno zaokrąglony „podwójnie” umięśniony wyraźnie oddzielne
wiązki
mięśni
Round very highly rounded doublemuscled visibly separated seams
Posiadający energię
wiązki
wynoszącą 65 keV lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 mA lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał "podłoża".
A
beam
energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Posiadający energię
wiązki
wynoszącą 65 keV lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 mA lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał "podłoża".
A
beam
energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
posiadający energię
wiązki
wynoszącą 65 keV lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 mA lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał „podłoża”;
a
beam
energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
posiadający energię
wiązki
wynoszącą 65 keV lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 mA lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał „podłoża”;
a
beam
energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Posiadający energię
wiązki
wynoszącą 65 keV lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 mA lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał „podłoża”;
A
beam
energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Posiadający energię
wiązki
wynoszącą 65 keV lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 mA lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał „podłoża”;
A
beam
energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
posiadający energię
wiązki
wynoszącą 65 keV lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 mA lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał "podłoża";
a
beam
energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
posiadający energię
wiązki
wynoszącą 65 keV lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 mA lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał "podłoża";
a
beam
energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Posiadający energię
wiązki
wynoszącą 65 keV lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 mA lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał "podłoża".
A
beam
energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
Posiadający energię
wiązki
wynoszącą 65 keV lub większą oraz natężenie wiązki równe 45 mA lub większe, w celu wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał "podłoża".
A
beam
energy of 65 keV or more and a beam current of 45 mA or more for high energy oxygen implant into a heated semiconductor material "substrate";
...spełnia wymagań wymienionych w pkt 6.3 i 6.5, można zmienić jego ustawienie pod warunkiem, że oś
wiązki
lub punkt przecięcia HV określony w załączniku 6 do niniejszego regulaminu nie są bocznie prz
...to in paragraphs 6.3 and 6.5, its adjustment may be changed, provided that the axis of the
beam
or the point of intersection HV specified in annex 6 to this Regulation is not laterally displa
Jeśli ustawione w ten sposób światło główne nie spełnia wymagań wymienionych w pkt 6.3 i 6.5, można zmienić jego ustawienie pod warunkiem, że oś
wiązki
lub punkt przecięcia HV określony w załączniku 6 do niniejszego regulaminu nie są bocznie przesunięte o więcej niż 1° (= 44 cm) w lewo lub w prawo [10].
Where a headlamp so adjusted does not meet the requirements referred to in paragraphs 6.3 and 6.5, its adjustment may be changed, provided that the axis of the
beam
or the point of intersection HV specified in annex 6 to this Regulation is not laterally displaced by more than 1° (= 44 cm) to the right or left [10].
W przypadku, gdy doświetlenie zakrętu uzyskuje się za pomocą poziomego ruchu całej
wiązki
lub załamania granicy światła i cienia, to funkcja ta może być włączona wyłącznie wtedy, gdy pojazd porusza...
If bend lighting is produced by a horizontal movement of the whole
beam
or the kink of the elbow of the cut-off, it shall be activated only if the vehicle is in forward motion; this shall not apply...
W przypadku, gdy doświetlenie zakrętu uzyskuje się za pomocą poziomego ruchu całej
wiązki
lub załamania granicy światła i cienia, to funkcja ta może być włączona wyłącznie wtedy, gdy pojazd porusza się do przodu. Powyższego ograniczenia nie stosuje się w przypadku doświetlenia prawego zakrętu w prawostronnym ruchu drogowym (lub lewego zakrętu w lewostronnym ruchu drogowym).
If bend lighting is produced by a horizontal movement of the whole
beam
or the kink of the elbow of the cut-off, it shall be activated only if the vehicle is in forward motion; this shall not apply if bend lighting is produced for a right turn in right hand traffic (left turn in left hand traffic). 
