Baza aktów prawnych Unii Europejskiej Cytaty odnotowujące konkretne użycie tłumaczeń słów angielsko-polskich i polsko-angielskich umieszczone w serwisie Translatica.pl pochodzą z Bazy danych DGT-TM, która jest wyłączną własnością Komisji Europejskiej i została udostępniona bezpłatnie i bez ograniczeń terytorialnych. Data dostępu do bazy 02.09.2019. Dokładne informacje nt. pochodzenia źródła tłumaczenia oraz daty powstania dokumentu w bazie DGT-TM zostały umieszczone pod poszczególnymi cytatami wraz z aktywnym odnośnikiem do oryginalnego dokumentu z bazy.
Lista cytatów w języku polskim i angielskim zawierająca frazę: laser
Tunable semiconductor "
lasers
" and tunable semiconductor 'laser' arrays, of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array stacks of semiconductor 'lasers' containing at least one tunable...
„
Lasery
” półprzewodnikowe przestrajalne i matryce przestrajalnych „laserów” półprzewodnikowych o długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również matryce „laserów” półprzewodnikowych zawierających...
Tunable semiconductor "
lasers
" and tunable semiconductor 'laser' arrays, of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array stacks of semiconductor 'lasers' containing at least one tunable semiconductor 'laser' array of such wavelength.
„
Lasery
” półprzewodnikowe przestrajalne i matryce przestrajalnych „laserów” półprzewodnikowych o długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również matryce „laserów” półprzewodnikowych zawierających przynajmniej jedną matrycę przestrajalnych „laserów” półprzewodnikowych o tej długości fali.
Tunable semiconductor "
lasers
" and tunable semiconductor "laser" arrays, of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array stacks of semiconductor "lasers" containing at least one tunable...
"
Lasery
" półprzewodnikowe przestrajalne i matryce przestrajalnych "laserów" półprzewodnikowych o długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również matryce "laserów" półprzewodnikowych zawierających...
Tunable semiconductor "
lasers
" and tunable semiconductor "laser" arrays, of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array stacks of semiconductor "lasers" containing at least one tunable semiconductor "laser array" of such wavelength.
"
Lasery
" półprzewodnikowe przestrajalne i matryce przestrajalnych "laserów" półprzewodnikowych o długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również matryce "laserów" półprzewodnikowych zawierających przynajmniej jedną matrycę przestrajalnych "laserów" półprzewodnikowych o tej długości fali.
Tunable semiconductor “
lasers
” and tunable semiconductor “laser” arrays, other than those specified in 0B001.h.6. or 6A005.b., of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array stacks of...
»
Lasery
« półprzewodnikowe przestrajalne i baterie przestrajalnych »laserów« półprzewodnikowych, niewyszczególnione w 0B001.h.6. lub 6A005.b., o długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również stosy...
Tunable semiconductor “
lasers
” and tunable semiconductor “laser” arrays, other than those specified in 0B001.h.6. or 6A005.b., of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array stacks of semiconductor “lasers” containing at least one tunable semiconductor “laser” array of such wavelength.
»
Lasery
« półprzewodnikowe przestrajalne i baterie przestrajalnych »laserów« półprzewodnikowych, niewyszczególnione w 0B001.h.6. lub 6A005.b., o długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również stosy baterii »laserów« półprzewodnikowych zawierających przynajmniej jedną baterię przestrajalnych »laserów« półprzewodnikowych o tej długości fali.
Tunable semiconductor “
lasers
” and tunable semiconductor “laser” arrays, other than those specified in 0B001.h.6. or 6A005.b., of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array stacks of...
»
Lasery
« półprzewodnikowe przestrajalne i baterie przestrajalnych »laserów« półprzewodnikowych, niewyszczególnione w 0B001.h.6. lub 6A005.b., i długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również stosy...
Tunable semiconductor “
lasers
” and tunable semiconductor “laser” arrays, other than those specified in 0B001.h.6. or 6A005.b., of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array stacks of semiconductor “lasers” containing at least one tunable semiconductor “laser” array of such wavelength.
»
Lasery
« półprzewodnikowe przestrajalne i baterie przestrajalnych »laserów« półprzewodnikowych, niewyszczególnione w 0B001.h.6. lub 6A005.b., i długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również stosy baterii »laserów« półprzewodnikowych zawierających przynajmniej jedną baterię przestrajalnych »laserów« półprzewodnikowych i tej długości fali.
Containing a "
laser
"; and
Zawierające "
laser
"; oraz
Containing a "
laser
"; and
Zawierające "
laser
"; oraz
containing a "
laser
"; and
zawierające "
laser
"; oraz
containing a "
laser
"; and
zawierające "
laser
"; oraz
Containing a "
laser
"; and
Zawierające "
laser
"; oraz
Containing a "
laser
"; and
Zawierające "
laser
"; oraz
containing a "
laser
"; and
zawierające „
laser
”; oraz
containing a "
laser
"; and
zawierające „
laser
”; oraz
Containing a "
laser
"; and
Zawierające „
laser
”; oraz
Containing a "
laser
"; and
Zawierające „
laser
”; oraz
...Al2O3), thulium-YAG (Tm: YAG), thulium-YSGG (Tm: YSGG), alexandrite (Cr: BeAl2O4), colour centre "
lasers
", dye "lasers" and liquid "lasers".
Uwaga:Pozycja 6A005.c obejmuje „lasery” tytanowo-szafirowe (Ti: Al2O3), tul — YAG (Tm: YAG), tul — YSGG (Tm: YSGG), aleksandrytowe (CR: BeAl2O4), na centrach barwnych, „lasery” barwnikowe oraz...
Note:6A005.c. includes titanium-sapphire (Ti: Al2O3), thulium-YAG (Tm: YAG), thulium-YSGG (Tm: YSGG), alexandrite (Cr: BeAl2O4), colour centre "
lasers
", dye "lasers" and liquid "lasers".
Uwaga:Pozycja 6A005.c obejmuje „lasery” tytanowo-szafirowe (Ti: Al2O3), tul — YAG (Tm: YAG), tul — YSGG (Tm: YSGG), aleksandrytowe (CR: BeAl2O4), na centrach barwnych, „lasery” barwnikowe oraz „lasery” cieczowe.
...Al2O3), thulium-YAG (Tm: YAG), thulium-YSGG (Tm: YSGG), alexandrite (Cr: BeAl2O4), colour centre "
lasers
", dye "lasers", and liquid "lasers".
Uwaga:Pozycja 6A005.c. obejmuje„lasery”tytanowo–
szafirowe
(Ti: Al2O3), tul — YAG (Tm: YAG), tul — YSGG (Tm: YSGG), aleksandrytowe (CR: BeAl2O4), na centrach barwnych, „lasery”barwnikowe...
Note:6A005.c. includes titanium–sapphire (Ti: Al2O3), thulium-YAG (Tm: YAG), thulium-YSGG (Tm: YSGG), alexandrite (Cr: BeAl2O4), colour centre "
lasers
", dye "lasers", and liquid "lasers".
Uwaga:Pozycja 6A005.c. obejmuje„lasery”tytanowo–
szafirowe
(Ti: Al2O3), tul — YAG (Tm: YAG), tul — YSGG (Tm: YSGG), aleksandrytowe (CR: BeAl2O4), na centrach barwnych, „lasery”barwnikowe oraz„lasery”cieczowe.
...Al2O3), thulium-YAG (Tm: YAG), thulium-YSGG (Tm: YSGG), alexandrite (Cr: BeAl2O4), colour centre "
lasers
", dye "lasers" and liquid "lasers".
Uwaga:Pozycja 6A005.c obejmuje "lasery" tytanowo-szafirowe (Ti: Al2O3), tul — YAG (Tm: YAG), tul — YSGG (Tm: YSGG), aleksandrytowe (CR: BeAl2O4), na centrach barwnych, "lasery" barwnikowe oraz...
Note:6.A005.c. includes titanium-sapphire (Ti: Al2O3), thulium-YAG (Tm: YAG), thulium-YSGG (Tm: YSGG), alexandrite (Cr: BeAl2O4), colour centre "
lasers
", dye "lasers" and liquid "lasers".
Uwaga:Pozycja 6A005.c obejmuje "lasery" tytanowo-szafirowe (Ti: Al2O3), tul — YAG (Tm: YAG), tul — YSGG (Tm: YSGG), aleksandrytowe (CR: BeAl2O4), na centrach barwnych, "lasery" barwnikowe oraz "lasery" cieczowe.
It comprised studies into image production with picosecond impulse lasers,
laser
resistance of the individual components and basic research into the miniaturisation of monochrome laser systems.
Prace objęły również badania nad tworzeniem obrazu za
pomocą pikosekundowych laserów
impulsowych, wytrzymałością laserową
poszczególnych komponentów, a także miniaturyzacją monochromatycznych...
It comprised studies into image production with picosecond impulse lasers,
laser
resistance of the individual components and basic research into the miniaturisation of monochrome laser systems.
Prace objęły również badania nad tworzeniem obrazu za
pomocą pikosekundowych laserów
impulsowych, wytrzymałością laserową
poszczególnych komponentów, a także miniaturyzacją monochromatycznych systemów laserowych.
Computer controlled or "numerically controlled" Laser Welding and
Laser
Cutting Machines, and specially designed components therefor.
Spawarki i krajarki laserowe sterowane komputerowo bądź „sterowane numerycznie” oraz specjalnie do nich zaprojektowane części składowe.
Computer controlled or "numerically controlled" Laser Welding and
Laser
Cutting Machines, and specially designed components therefor.
Spawarki i krajarki laserowe sterowane komputerowo bądź „sterowane numerycznie” oraz specjalnie do nich zaprojektowane części składowe.
for the pressing and welding of the sports cars, a high cost
laser
cut station is planned for Cutro, with no similar investment foreseen at Modena;
...i spawanie samochodów sportowych przewidziano w Cutro kosztowne stanowisko pracy do cięć
laserowych
, podczas gdy w Modenie nie przewidziano żadnej takiej inwestycji;
for the pressing and welding of the sports cars, a high cost
laser
cut station is planned for Cutro, with no similar investment foreseen at Modena;
na prasowanie i spawanie samochodów sportowych przewidziano w Cutro kosztowne stanowisko pracy do cięć
laserowych
, podczas gdy w Modenie nie przewidziano żadnej takiej inwestycji;
array stacks of semiconductor "
lasers
" containing at least one array that is controlled under 6A005.d.1.c.;
stosy układów "
laserów
" półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden układ znajdujący się pod pozycją 6A005.d.1.c;
array stacks of semiconductor "
lasers
" containing at least one array that is controlled under 6A005.d.1.c.;
stosy układów "
laserów
" półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden układ znajdujący się pod pozycją 6A005.d.1.c;
Array stacks of semiconductor "
lasers
" containing at least one array that is controlled under 6A005.b.3.
Stosy układów "
laserów
" półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden układ znajdujący się pod pozycją 6A005.b.3.
Array stacks of semiconductor "
lasers
" containing at least one array that is controlled under 6A005.b.3.
Stosy układów "
laserów
" półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden układ znajdujący się pod pozycją 6A005.b.3.
Array stacks of semiconductor "
lasers
" containing at least one array that is controlled under 6A005.b.3.
Stosy układów "
laserów
" półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden układ znajdujący się pod pozycją 6A005.b.3.
Array stacks of semiconductor "
lasers
" containing at least one array that is controlled under 6A005.b.3.
Stosy układów "
laserów
" półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden układ znajdujący się pod pozycją 6A005.b.3.
"array stacks" of semiconductor "
lasers
" containing at least one "array" specified in 6A005.d.1.c.;
‚stosy układów’„
laserów
” półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden ‚układ’ wymieniony w pozycji 6A005.d.1.c;
"array stacks" of semiconductor "
lasers
" containing at least one "array" specified in 6A005.d.1.c.;
‚stosy układów’„
laserów
” półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden ‚układ’ wymieniony w pozycji 6A005.d.1.c;
’Array stacks’ of semiconductor "
lasers
" containing at least one ’array’ specified in 6A005.d.1.c.;
’Stosy układów’„
laserów
” półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden ’układ’ wyszczególniony w pozycji 6A005.d.1.c;
’Array stacks’ of semiconductor "
lasers
" containing at least one ’array’ specified in 6A005.d.1.c.;
’Stosy układów’„
laserów
” półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden ’układ’ wyszczególniony w pozycji 6A005.d.1.c; 
