Baza aktów prawnych Unii Europejskiej Cytaty odnotowujące konkretne użycie tłumaczeń słów angielsko-polskich i polsko-angielskich umieszczone w serwisie Translatica.pl pochodzą z Bazy danych DGT-TM, która jest wyłączną własnością Komisji Europejskiej i została udostępniona bezpłatnie i bez ograniczeń terytorialnych. Data dostępu do bazy 02.09.2019. Dokładne informacje nt. pochodzenia źródła tłumaczenia oraz daty powstania dokumentu w bazie DGT-TM zostały umieszczone pod poszczególnymi cytatami wraz z aktywnym odnośnikiem do oryginalnego dokumentu z bazy.
Lista cytatów w języku polskim i angielskim zawierająca frazę: stack
...waste gases could in the judgement of the competent authority, be discharged through a common
stack
, the combination formed by such plants shall be considered as a single combustion plant and th
...ich gazy odlotowe mogłyby być zgodnie z oceną właściwego organu odprowadzane przez wspólny
komin
, połączenie stworzone przez takie obiekty uważa się za pojedynczy obiekt energetycznego spalan
Where two or more separate combustion plants which have been granted a permit for the first time on or after 1 July 1987, or the operators of which have submitted a complete application for a permit on or after that date, are installed in such a way that, taking technical and economic factors into account, their waste gases could in the judgement of the competent authority, be discharged through a common
stack
, the combination formed by such plants shall be considered as a single combustion plant and their capacities added for the purpose of calculating the total rated thermal input.
W przypadku gdy dwa lub większa liczba oddzielnych obiektów energetycznego spalania, którym po raz pierwszy udzielono pozwolenia w dniu 1 lipca 1987 r. lub po tym dniu, lub których operatorzy złożyli kompletny wniosek o udzielenie takiego pozwolenia w tym dniu lub po tym dniu, instalowane są w taki sposób, że uwzględniając parametry techniczne i współczynniki ekonomiczne, ich gazy odlotowe mogłyby być zgodnie z oceną właściwego organu odprowadzane przez wspólny
komin
, połączenie stworzone przez takie obiekty uważa się za pojedynczy obiekt energetycznego spalania, a ich moce dodaje się w celu wyliczenia całkowitej nominalnej mocy dostarczonej w paliwie.
Where the waste gases of two or more separate combustion plants are discharged through a common
stack
, the combination formed by such plants shall be considered as a single combustion plant and their...
...dwóch lub większej liczby odrębnych obiektów energetycznego spalania odprowadzane są przez wspólny
komin
, połączenie stworzone przez takie obiekty uważa się za pojedynczy obiekt energetycznego...
Where the waste gases of two or more separate combustion plants are discharged through a common
stack
, the combination formed by such plants shall be considered as a single combustion plant and their capacities added for the purpose of calculating the total rated thermal input.
W przypadku gdy gazy odlotowe z dwóch lub większej liczby odrębnych obiektów energetycznego spalania odprowadzane są przez wspólny
komin
, połączenie stworzone przez takie obiekty uważa się za pojedynczy obiekt energetycznego spalania, a ich przepustowość dodaje się w celu wyliczenia całkowitej nominalnej mocy dostarczonej w paliwie.
...used by the same users as HPT, however, their uses are different, e.g. lifting the load higher,
stacking
the load, functioning as work level or weighing the load.
...WPKW i RWP jest odmienne: WPWK służą do podnoszenia ładunku na większą wysokość i ustawiania go w
stosy
, są stosowane w charakterze stołu na poziomie roboczym lub do ważenia ładunku.
The review investigation has shown that HSSWT are mainly used by the same users as HPT, however, their uses are different, e.g. lifting the load higher,
stacking
the load, functioning as work level or weighing the load.
Jak wykazano w dochodzeniu przeglądowym, użytkownicy WPKW są w przeważającej mierze tożsami z użytkownikami RWP, jednak zastosowanie WPKW i RWP jest odmienne: WPWK służą do podnoszenia ładunku na większą wysokość i ustawiania go w
stosy
, są stosowane w charakterze stołu na poziomie roboczym lub do ważenia ładunku.
...plants and waste co-incineration plants shall be discharged in a controlled way by means of a
stack
the height of which is calculated in such a way as to safeguard human health and the environme
Gazy odlotowe ze spalarni odpadów i współspalarni odpadów uwalniane są w sposób kontrolowany przez
komin
, którego wysokość obliczana jest w taki sposób, aby chronić zdrowie ludzi i środowisko.
Waste gases from waste incineration plants and waste co-incineration plants shall be discharged in a controlled way by means of a
stack
the height of which is calculated in such a way as to safeguard human health and the environment.
Gazy odlotowe ze spalarni odpadów i współspalarni odpadów uwalniane są w sposób kontrolowany przez
komin
, którego wysokość obliczana jest w taki sposób, aby chronić zdrowie ludzi i środowisko.
...part of the plant discharging its waste gases through one or more separate flues within a common
stack
, the start-up and shut-down periods may be determined for each of those parts of the combustio
...obiektu odprowadzającej gazy odlotowe jednym lub więcej niż jednym osobnym przewodem wspólnego
komina
, okresy rozruchu i wyłączenia mogą być określane oddzielnie dla każdej z tych części obiektu
For combustion plants for which points 2, 4 and 6 of Part 1 of Annex V to Directive 2010/75/EU allow the application of an emission limit value to part of the plant discharging its waste gases through one or more separate flues within a common
stack
, the start-up and shut-down periods may be determined for each of those parts of the combustion plant separately.
W odniesieniu do obiektów energetycznego spalania, w przypadku których część 1 pkt 2, 4 i 6 załącznika V do dyrektywy 2010/75/UE zezwala na stosowanie dopuszczalnej wielkości emisji wobec części obiektu odprowadzającej gazy odlotowe jednym lub więcej niż jednym osobnym przewodem wspólnego
komina
, okresy rozruchu i wyłączenia mogą być określane oddzielnie dla każdej z tych części obiektu energetycznego spalania.
...transportation, loading and unloading in particular through sufficient packaging and appropriate
stacking
of the load, which are the obligations of the holder who arranges the transport, Member Sta
W przypadku braku dowodów, że dany przedmiot jest używanym EEE, a nie WEEE, wynikających z odpowiedniej dokumentacji wymaganej w pkt 1, 2, 3 i 4, oraz w przypadku braku odpowiedniego zabezpieczenia...
In the absence of proof that an object is used EEE and not WEEE through the appropriate documentation required in points 1, 2, 3 and 4 and of appropriate protection against damage during transportation, loading and unloading in particular through sufficient packaging and appropriate
stacking
of the load, which are the obligations of the holder who arranges the transport, Member State authorities shall consider that an item is WEEE and presume that the load comprises an illegal shipment.
W przypadku braku dowodów, że dany przedmiot jest używanym EEE, a nie WEEE, wynikających z odpowiedniej dokumentacji wymaganej w pkt 1, 2, 3 i 4, oraz w przypadku braku odpowiedniego zabezpieczenia przed uszkodzeniem podczas transportu, załadunku i wyładunku, w szczególności poprzez wystarczające opakowanie oraz właściwe rozmieszczenie ładunku, co należy do obowiązków posiadacza organizującego transport, organy państwa członkowskiego uznają dany produkt za WEEE oraz zakładają, że ładunek zawiera nielegalną przesyłkę.
...transportation, loading and unloading in particular through sufficient packaging and appropriate
stacking
of the load.
odpowiedniego zabezpieczenia przed uszkodzeniem podczas transportu, załadunku i rozładunku, w szczególności poprzez wystarczające opakowanie i właściwe rozmieszczenie ładunku.
appropriate protection against damage during transportation, loading and unloading in particular through sufficient packaging and appropriate
stacking
of the load.
odpowiedniego zabezpieczenia przed uszkodzeniem podczas transportu, załadunku i rozładunku, w szczególności poprzez wystarczające opakowanie i właściwe rozmieszczenie ładunku.
N.B.:This is not intended to include a
stack
of single detector elements or any two, three or four element detectors provided time delay and integration is not performed within the element....
„
Laser
z przekazaniem energii” (6) „Laser
”, w którym czynnik emitujący promieniowanie laserowe jest wzbudzany dzięki transferowi energii wskutek zderzeń atomów lub molekuł, niebiorących udziału w...
N.B.:This is not intended to include a
stack
of single detector elements or any two, three or four element detectors provided time delay and integration is not performed within the element. "Fractional bandwidth" (3 5) means the "instantaneous bandwidth" divided by the centre frequency, expressed as a percentage.
„
Laser
z przekazaniem energii” (6) „Laser
”, w którym czynnik emitujący promieniowanie laserowe jest wzbudzany dzięki transferowi energii wskutek zderzeń atomów lub molekuł, niebiorących udziału w akcji laserowej, z atomami lub molekułami czynnika emitującego promieniowanie laserowe.
N.B.: This is not intended to include a
stack
of single detector elements or any two, three or four element detectors provided time delay and integration is not performed within the element....
Pojęcie stosowane do podzespołów silnika rakietowego, tj. osłony, dyszy, wlotów, zamknięć osłon, obejmujące utrwalone lub półutrwalone maty kauczukowe zawierające materiał ogniotrwały lub izolacyjny.
N.B.: This is not intended to include a
stack
of single detector elements or any two, three or four element detectors provided time delay and integration is not performed within the element. "Fractional bandwidth" (3) means the "instantaneous bandwidth" divided by the centre frequency, expressed as a percentage.
Pojęcie stosowane do podzespołów silnika rakietowego, tj. osłony, dyszy, wlotów, zamknięć osłon, obejmujące utrwalone lub półutrwalone maty kauczukowe zawierające materiał ogniotrwały lub izolacyjny.
N.B.: This is not intended to include a
stack
of single detector elements or any two, three or four element detectors provided time delay and integration is not performed within the element.
"Kryptografia" ogranicza się do przekształcania informacji za pomocą jednego lub większej liczby "tajnych parametrów" (np. szyfrów) lub związanego z tym zarządzania kluczami.
N.B.: This is not intended to include a
stack
of single detector elements or any two, three or four element detectors provided time delay and integration is not performed within the element.
"Kryptografia" ogranicza się do przekształcania informacji za pomocą jednego lub większej liczby "tajnych parametrów" (np. szyfrów) lub związanego z tym zarządzania kluczami.
...without readout electronics, which work in the focal plane. N.B.:This is not intended to include a
stack
of single detector elements or any two, three or four element detectors provided time delay...
Dziedzina wiedzy zajmująca się zasadami, narzędziami i metodami przekształcania danych w celu ukrycia zawartych w nich informacji, zapobiegania możliwości tajnego ich modyfikowania lub eliminacji...
"Focal plane array" (6) means a linear or two-dimensional planar layer, or combination of planar layers, of individual detector elements, with or without readout electronics, which work in the focal plane. N.B.:This is not intended to include a
stack
of single detector elements or any two, three or four element detectors provided time delay and integration is not performed within the element.
Dziedzina wiedzy zajmująca się zasadami, narzędziami i metodami przekształcania danych w celu ukrycia zawartych w nich informacji, zapobiegania możliwości tajnego ich modyfikowania lub eliminacji dostępu do nich osobom niepowołanym.
array
stacks
of semiconductor "lasers" containing at least one array that is controlled under 6A005.d.1.c.; stosy
układów "laserów" półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden układ znajdujący się pod pozycją 6A005.d.1.c;
array
stacks
of semiconductor "lasers" containing at least one array that is controlled under 6A005.d.1.c.; stosy
układów "laserów" półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden układ znajdujący się pod pozycją 6A005.d.1.c;
Array
stacks
of semiconductor "lasers" containing at least one array that is controlled under 6A005.b.3. Stosy
układów "laserów" półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden układ znajdujący się pod pozycją 6A005.b.3.
Array
stacks
of semiconductor "lasers" containing at least one array that is controlled under 6A005.b.3. Stosy
układów "laserów" półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden układ znajdujący się pod pozycją 6A005.b.3.
Array
stacks
of semiconductor "lasers" containing at least one array that is controlled under 6A005.b.3. Stosy
układów "laserów" półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden układ znajdujący się pod pozycją 6A005.b.3.
Array
stacks
of semiconductor "lasers" containing at least one array that is controlled under 6A005.b.3. Stosy
układów "laserów" półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden układ znajdujący się pod pozycją 6A005.b.3.
"array
stacks
" of semiconductor "lasers" containing at least one "array" specified in 6A005.d.1.c.;
‚
stosy
układów’„laserów” półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden ‚układ’ wymieniony w pozycji 6A005.d.1.c;
"array
stacks
" of semiconductor "lasers" containing at least one "array" specified in 6A005.d.1.c.;
‚
stosy
układów’„laserów” półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden ‚układ’ wymieniony w pozycji 6A005.d.1.c;
’Array
stacks
’ of semiconductor "lasers" containing at least one ’array’ specified in 6A005.d.1.c.;
’
Stosy
układów’„laserów” półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden ’układ’ wyszczególniony w pozycji 6A005.d.1.c;
’Array
stacks
’ of semiconductor "lasers" containing at least one ’array’ specified in 6A005.d.1.c.;
’
Stosy
układów’„laserów” półprzewodnikowych zawierające przynajmniej jeden ’układ’ wyszczególniony w pozycji 6A005.d.1.c;
...specified in 0B001.h.6. or 6A005.b., of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array
stacks
of semiconductor “lasers” containing at least one tunable semiconductor “laser” array of such
...niewyszczególnione w 0B001.h.6. lub 6A005.b., o długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również
stosy
baterii »laserów« półprzewodnikowych zawierających przynajmniej jedną baterię przestrajalnych
Tunable semiconductor “lasers” and tunable semiconductor “laser” arrays, other than those specified in 0B001.h.6. or 6A005.b., of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array
stacks
of semiconductor “lasers” containing at least one tunable semiconductor “laser” array of such wavelength.
»Lasery« półprzewodnikowe przestrajalne i baterie przestrajalnych »laserów« półprzewodnikowych, niewyszczególnione w 0B001.h.6. lub 6A005.b., o długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również
stosy
baterii »laserów« półprzewodnikowych zawierających przynajmniej jedną baterię przestrajalnych »laserów« półprzewodnikowych o tej długości fali.
...and tunable semiconductor "laser" arrays, of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array
stacks
of semiconductor "lasers" containing at least one tunable semiconductor "laser" array of...
„Lasery” półprzewodnikowe przestrajalne i matryce przestrajalnych „laserów” półprzewodnikowych o długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również matryce „laserów” półprzewodnikowych zawierających...
Tunable semiconductor "lasers" and tunable semiconductor "laser" arrays, of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array
stacks
of semiconductor "lasers" containing at least one tunable semiconductor "laser" array of such wavelength.
„Lasery” półprzewodnikowe przestrajalne i matryce przestrajalnych „laserów” półprzewodnikowych o długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również matryce „laserów” półprzewodnikowych zawierających przynajmniej jedną matrycę przestrajalnych „laserów” półprzewodnikowych o tej długości fali.
...specified in 0B001.h.6. or 6A005.b., of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array
stacks
of semiconductor “lasers” containing at least one tunable semiconductor “laser” array of such
...niewyszczególnione w 0B001.h.6. lub 6A005.b., i długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również
stosy
baterii »laserów« półprzewodnikowych zawierających przynajmniej jedną baterię przestrajalnych
Tunable semiconductor “lasers” and tunable semiconductor “laser” arrays, other than those specified in 0B001.h.6. or 6A005.b., of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array
stacks
of semiconductor “lasers” containing at least one tunable semiconductor “laser” array of such wavelength.
»Lasery« półprzewodnikowe przestrajalne i baterie przestrajalnych »laserów« półprzewodnikowych, niewyszczególnione w 0B001.h.6. lub 6A005.b., i długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również
stosy
baterii »laserów« półprzewodnikowych zawierających przynajmniej jedną baterię przestrajalnych »laserów« półprzewodnikowych i tej długości fali.
...and tunable semiconductor ‘laser’ arrays, of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array
stacks
of semiconductor ‘lasers’ containing at least one tunable semiconductor ‘laser’ array of...
„Lasery” półprzewodnikowe przestrajalne i matryce przestrajalnych „laserów” półprzewodnikowych o długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również matryce „laserów” półprzewodnikowych zawierających...
Tunable semiconductor ‘lasers’ and tunable semiconductor ‘laser’ arrays, of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array
stacks
of semiconductor ‘lasers’ containing at least one tunable semiconductor ‘laser’ array of such wavelength.
„Lasery” półprzewodnikowe przestrajalne i matryce przestrajalnych „laserów” półprzewodnikowych o długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również matryce „laserów” półprzewodnikowych zawierających przynajmniej jedną matrycę przestrajalnych „laserów” półprzewodnikowych o tej długości fali.
