Baza aktów prawnych Unii Europejskiej Cytaty odnotowujące konkretne użycie tłumaczeń słów angielsko-polskich i polsko-angielskich umieszczone w serwisie Translatica.pl pochodzą z Bazy danych DGT-TM, która jest wyłączną własnością Komisji Europejskiej i została udostępniona bezpłatnie i bez ograniczeń terytorialnych. Data dostępu do bazy 02.09.2019. Dokładne informacje nt. pochodzenia źródła tłumaczenia oraz daty powstania dokumentu w bazie DGT-TM zostały umieszczone pod poszczególnymi cytatami wraz z aktywnym odnośnikiem do oryginalnego dokumentu z bazy.
Lista cytatów w języku polskim i angielskim zawierająca frazę: fala
jest długością
fali
.
is the
wave
length.
jest długością
fali
.
is the
wave
length.
Przy każdej przeprowadzonej próbie wymagana jest rejestracja i dokumentacja widma
fal
.
It is required that for every test run the
wave
spectrum is recorded and documented.
Przy każdej przeprowadzonej próbie wymagana jest rejestracja i dokumentacja widma
fal
.
It is required that for every test run the
wave
spectrum is recorded and documented.
identyfikację fazową przebiegów
fal
,
waveform phase identification,
identyfikację fazową przebiegów
fal
,
waveform phase identification,
...dla długości fali od 500 do 650 nm pokryte warstwami przeciwodblaskowymi dla długości
fali
Optical fibres in the wavelength range 500 nm – 650 nm coated with anti-reflecting layers in the
wavelength
range
Włókna światłowodowe dla długości fali od 500 do 650 nm pokryte warstwami przeciwodblaskowymi dla długości
fali
Optical fibres in the wavelength range 500 nm – 650 nm coated with anti-reflecting layers in the
wavelength
range
...długość fali wynosząca 370 nm uzyskana przy zastosowaniu metody badania krytycznej długości
fali
.
a critical wavelength of 370 nm, as obtained in application of the critical
wavelength
testing method.
krytyczna długość fali wynosząca 370 nm uzyskana przy zastosowaniu metody badania krytycznej długości
fali
.
a critical wavelength of 370 nm, as obtained in application of the critical
wavelength
testing method.
...przynajmniej jedną matrycę przestrajalnych "laserów" półprzewodnikowych o tej długości
fali
.
...of semiconductor "lasers" containing at least one tunable semiconductor "laser array" of such
wavelength
.
"Lasery" półprzewodnikowe przestrajalne i matryce przestrajalnych "laserów" półprzewodnikowych o długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również matryce "laserów" półprzewodnikowych zawierających przynajmniej jedną matrycę przestrajalnych "laserów" półprzewodnikowych o tej długości
fali
.
Tunable semiconductor "lasers" and tunable semiconductor "laser" arrays, of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array stacks of semiconductor "lasers" containing at least one tunable semiconductor "laser array" of such
wavelength
.
...przynajmniej jedną matrycę przestrajalnych „laserów” półprzewodnikowych o tej długości
fali
.
...of semiconductor ‘lasers’ containing at least one tunable semiconductor ‘laser’ array of such
wavelength
.
„Lasery” półprzewodnikowe przestrajalne i matryce przestrajalnych „laserów” półprzewodnikowych o długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również matryce „laserów” półprzewodnikowych zawierających przynajmniej jedną matrycę przestrajalnych „laserów” półprzewodnikowych o tej długości
fali
.
Tunable semiconductor ‘lasers’ and tunable semiconductor ‘laser’ arrays, of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array stacks of semiconductor ‘lasers’ containing at least one tunable semiconductor ‘laser’ array of such
wavelength
.
...przynajmniej jedną matrycę przestrajalnych „laserów” półprzewodnikowych o tej długości
fali
.
...of semiconductor 'lasers' containing at least one tunable semiconductor 'laser' array of such
wavelength
.
„Lasery” półprzewodnikowe przestrajalne i matryce przestrajalnych „laserów” półprzewodnikowych o długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również matryce „laserów” półprzewodnikowych zawierających przynajmniej jedną matrycę przestrajalnych „laserów” półprzewodnikowych o tej długości
fali
.
Tunable semiconductor "lasers" and tunable semiconductor 'laser' arrays, of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array stacks of semiconductor 'lasers' containing at least one tunable semiconductor 'laser' array of such
wavelength
.
...należy tak ustawić, aby prędkość na danej linii nie była większa niż 70 % prędkości propagacji
fali
.
...propagation speed shall be adjusted so that the chosen line speed is no greater than 70 % of the
wave
propagation speed.
Prędkość propagacji fali należy tak ustawić, aby prędkość na danej linii nie była większa niż 70 % prędkości propagacji
fali
.
The wave propagation speed shall be adjusted so that the chosen line speed is no greater than 70 % of the
wave
propagation speed.
dominująca długość
fali
dominant
wave-length
dominująca długość
fali
dominant
wave-length
dominująca długość
fali
dominant
wave-length
:
dominująca długość
fali
dominant
wave-length
:
c dominująca długość
fali
dominant
wave-length
c dominująca długość
fali
dominant
wave-length
czytnika optycznego z diodami laserowymi działającymi na trzech różnych długościach
fali
,
an optical pick up unit with laser diodes operating at three different
wavelengths
,
czytnika optycznego z diodami laserowymi działającymi na trzech różnych długościach
fali
,
an optical pick up unit with laser diodes operating at three different
wavelengths
,
czytnika optycznego z diodami laserowymi działającymi na trzech różnych długościach
fali
,
an optical pick up unit with laser diodes operating at three different
wavelengths
,
czytnika optycznego z diodami laserowymi działającymi na trzech różnych długościach
fali
,
an optical pick up unit with laser diodes operating at three different
wavelengths
,
czytnika optycznego z diodami laserowymi działającymi na trzech różnych długościach
fali
,
an optical pick up unit with laser diodes operating at three different
wavelengths
,
czytnika optycznego z diodami laserowymi działającymi na trzech różnych długościach
fali
,
an optical pick up unit with laser diodes operating at three different
wavelengths
,
czytnika optycznego z diodami laserowymi działającymi na trzech różnych długościach
fali
,
an optical pick up unit with laser diodes operating at three different
wavelengths
,
czytnika optycznego z diodami laserowymi działającymi na trzech różnych długościach
fali
,
an optical pick up unit with laser diodes operating at three different
wavelengths
,
...przynajmniej jedną matrycę przestrajalnych „laserów” półprzewodnikowych o tej długości
fali
.
...of semiconductor "lasers" containing at least one tunable semiconductor "laser" array of such
wavelength
.
„Lasery” półprzewodnikowe przestrajalne i matryce przestrajalnych „laserów” półprzewodnikowych o długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również matryce „laserów” półprzewodnikowych zawierających przynajmniej jedną matrycę przestrajalnych „laserów” półprzewodnikowych o tej długości
fali
.
Tunable semiconductor "lasers" and tunable semiconductor "laser" arrays, of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array stacks of semiconductor "lasers" containing at least one tunable semiconductor "laser" array of such
wavelength
.
...przynajmniej jedną baterię przestrajalnych »laserów« półprzewodnikowych o tej długości
fali
.
...of semiconductor “lasers” containing at least one tunable semiconductor “laser” array of such
wavelength
.
»Lasery« półprzewodnikowe przestrajalne i baterie przestrajalnych »laserów« półprzewodnikowych, niewyszczególnione w 0B001.h.6. lub 6A005.b., o długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również stosy baterii »laserów« półprzewodnikowych zawierających przynajmniej jedną baterię przestrajalnych »laserów« półprzewodnikowych o tej długości
fali
.
Tunable semiconductor “lasers” and tunable semiconductor “laser” arrays, other than those specified in 0B001.h.6. or 6A005.b., of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array stacks of semiconductor “lasers” containing at least one tunable semiconductor “laser” array of such
wavelength
.
...przynajmniej jedną baterię przestrajalnych »laserów« półprzewodnikowych i tej długości
fali
.
...of semiconductor “lasers” containing at least one tunable semiconductor “laser” array of such
wavelength
.
»Lasery« półprzewodnikowe przestrajalne i baterie przestrajalnych »laserów« półprzewodnikowych, niewyszczególnione w 0B001.h.6. lub 6A005.b., i długości fali od 9 μm do 17 μm, jak również stosy baterii »laserów« półprzewodnikowych zawierających przynajmniej jedną baterię przestrajalnych »laserów« półprzewodnikowych i tej długości
fali
.
Tunable semiconductor “lasers” and tunable semiconductor “laser” arrays, other than those specified in 0B001.h.6. or 6A005.b., of a wavelength between 9 μm and 17 μm, as well as array stacks of semiconductor “lasers” containing at least one tunable semiconductor “laser” array of such
wavelength
. 
