Baza aktów prawnych Unii Europejskiej Cytaty odnotowujące konkretne użycie tłumaczeń słów angielsko-polskich i polsko-angielskich umieszczone w serwisie Translatica.pl pochodzą z Bazy danych DGT-TM, która jest wyłączną własnością Komisji Europejskiej i została udostępniona bezpłatnie i bez ograniczeń terytorialnych. Data dostępu do bazy 02.09.2019. Dokładne informacje nt. pochodzenia źródła tłumaczenia oraz daty powstania dokumentu w bazie DGT-TM zostały umieszczone pod poszczególnymi cytatami wraz z aktywnym odnośnikiem do oryginalnego dokumentu z bazy.
Lista cytatów w języku polskim i angielskim zawierająca frazę: radiant
is the spectral distribution of the
radiant
flux;
stanowi rozkład widmowy strumienia
promieniowania
;
is the spectral distribution of the
radiant
flux;
stanowi rozkład widmowy strumienia
promieniowania
;
is the spectral distribution of the
radiant
flux;
oznacza rozkład widmowy strumienia
promieniowania
;
is the spectral distribution of the
radiant
flux;
oznacza rozkład widmowy strumienia
promieniowania
;
...does not control compound semiconductor photocathodes designed to achieve a maximum
radiant
sensitivity of any of the following:
...nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych zaprojektowanych tak,
by
osiągały maksymalnie którąkolwiek z poniższych czułości promieniowania
:
Note:6A002.a.2.c.3. does not control compound semiconductor photocathodes designed to achieve a maximum
radiant
sensitivity of any of the following:
Uwaga:Pozycja 6A002.a.2.c.3. nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych zaprojektowanych tak,
by
osiągały maksymalnie którąkolwiek z poniższych czułości promieniowania
:
...does not control compound semiconductor photocathodes withdesigned to achieve a maximum
radiant
sensitivity of any of the following:
...6A002.a.2.c.3 nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych zaprojektowanych tak,
by
osiągały maksymalnie jakąkolwiek z poniższych czułości promieniowania
:
Note:6A002.a.2.c.3. does not control compound semiconductor photocathodes withdesigned to achieve a maximum
radiant
sensitivity of any of the following:
Uwaga:Pozycja 6A002.a.2.c.3 nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych zaprojektowanych tak,
by
osiągały maksymalnie jakąkolwiek z poniższych czułości promieniowania
:
Limited by design to have a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:
zaprojektowanych tak,
by
ich maksymalna czułość promieniowania
wynosiła 10 mA/W lub mniej przy długości fal powyżej 760 nm, spełniających wszystkie poniższe kryteria:
Limited by design to have a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:
zaprojektowanych tak,
by
ich maksymalna czułość promieniowania
wynosiła 10 mA/W lub mniej przy długości fal powyżej 760 nm, spełniających wszystkie poniższe kryteria:
limited by design to have a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:
zaprojektowanych tak,
by
ich maksymalna czułość promieniowania
wynosiła 10 mA/W lub mniej przy długości fal powyżej 760 nm, spełniających wszystkie poniższe kryteria:
limited by design to have a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:
zaprojektowanych tak,
by
ich maksymalna czułość promieniowania
wynosiła 10 mA/W lub mniej przy długości fal powyżej 760 nm, spełniających wszystkie poniższe kryteria:
...designed or modified to achieve "charge multiplication" and limited by design to have a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following
„matryc detektorowe płaszczyzny ogniskowej” specjalnie zaprojektowanych lub zmodyfikowanych tak,
by
uzyskać powielanie ładunków, oraz zaprojektowanych tak, by
ich maksymalna czułość promieniowania
...
"focal plane arrays" specially designed or modified to achieve "charge multiplication" and limited by design to have a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:
„matryc detektorowe płaszczyzny ogniskowej” specjalnie zaprojektowanych lub zmodyfikowanych tak,
by
uzyskać powielanie ładunków, oraz zaprojektowanych tak, by
ich maksymalna czułość promieniowania
wynosiła 10 mA/W lub mniej przy długości fal powyżej 760 nm, spełniających wszystkie poniższe kryteria:
...designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and limited by design to have a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following
„matryc detektorowych płaszczyzny ogniskowej” specjalnie zaprojektowanych lub zmodyfikowanych tak,
by
uzyskać ’powielanie ładunków’ oraz ograniczonych projektowo tak, by
ich maksymalna czułość...
"Focal plane arrays" specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and limited by design to have a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less for wavelengths exceeding 760 nm, having all of the following:
„matryc detektorowych płaszczyzny ogniskowej” specjalnie zaprojektowanych lub zmodyfikowanych tak,
by
uzyskać ’powielanie ładunków’ oraz ograniczonych projektowo tak, by
ich maksymalna czułość promieniowania
wynosiła 10 mA/W lub mniej przy długości fal powyżej 760 nm, spełniających wszystkie poniższe kryteria:
Note: 6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less.
...nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych o maksymalnej czułości
promieniowania
10 mA/W lub mniej.
Note: 6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less.
Uwaga: Pozycja 6A002.a.2.b.3 nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych o maksymalnej czułości
promieniowania
10 mA/W lub mniej.
Note: 6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less.
...nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych o maksymalnej czułości
promieniowania
10 mA/W lub mniej.
Note: 6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less.
Uwaga: Pozycja 6A002.a.2.b.3. nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych o maksymalnej czułości
promieniowania
10 mA/W lub mniej.
Note:6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less.
...nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych o maksymalnej czułości
promieniowania
10 mA/W lub mniej.
Note:6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less.
Uwaga:Pozycja 6A002.a.2.b.3 nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych o maksymalnej czułości
promieniowania
10 mA/W lub mniej.
Note:6A002.a.2.a.3.c. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less.
...nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych o maksymalnej czułości
promieniowania
10 mA/W lub mniej.
Note:6A002.a.2.a.3.c. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less.
Uwaga:Pozycja 6A002.a.2.a.3.c nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych o maksymalnej czułości
promieniowania
10 mA/W lub mniej.
Note: 6A002.a.2.a.3.c. does not apply to compound semiconductor photocathodes with a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less.
...nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych o maksymalnej czułości
promieniowania
10 mA/W lub mniej.
Note: 6A002.a.2.a.3.c. does not apply to compound semiconductor photocathodes with a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less.
Uwaga: Pozycja 6A002.a.2.a.3.c. nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych o maksymalnej czułości
promieniowania
10 mA/W lub mniej.
Note:6A002.a.2.a.3.c. does not apply to compound semiconductor photocathodes with a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less.
...nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych o maksymalnej czułości
promieniowania
10 mA/W lub mniej.
Note:6A002.a.2.a.3.c. does not apply to compound semiconductor photocathodes with a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less.
Uwaga:Pozycja 6A002.a.2.a.3.c nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych o maksymalnej czułości
promieniowania
10 mA/W lub mniej.
Note: 6A002.a.2.a.3.c. does not apply to compound semiconductor photocathodes with a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less.
...nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych o maksymalnej czułości
promieniowania
10 mA/W lub mniej.
Note: 6A002.a.2.a.3.c. does not apply to compound semiconductor photocathodes with a maximum
radiant
sensitivity of 10 mA/W or less.
Uwaga: Pozycja 6A002.a.2.a.3.c nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych o maksymalnej czułości
promieniowania
10 mA/W lub mniej.
Note:6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum
radiant
sensitivity of 15 mA/W or less.
...nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych o maksymalnej czułości
promieniowania
15 mA/W lub mniej.
Note:6A002.a.2.b.3. does not control compound semiconductor photocathodes with a maximum
radiant
sensitivity of 15 mA/W or less.
Uwaga:Pozycja 6A002.a.2.b.3 nie obejmuje kontrolą fotokatod półprzewodnikowych związkowych o maksymalnej czułości
promieniowania
15 mA/W lub mniej.
Specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and having a maximum
radiant
sensitivity exceeding 10 mA/W for wavelengths exceeding 760 nm; and
Specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane,
by
uzyskać ’powielanie ładunków’ i mające maksymalną czułość promieniowania
powyżej 10 mA/W przy długości fal powyżej 760 nm; oraz
Specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and having a maximum
radiant
sensitivity exceeding 10 mA/W for wavelengths exceeding 760 nm; and
Specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane,
by
uzyskać ’powielanie ładunków’ i mające maksymalną czułość promieniowania
powyżej 10 mA/W przy długości fal powyżej 760 nm; oraz
specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and having a maximum
radiant
sensitivity exceeding 10 mA/W for wavelengths exceeding 760 nm; and
specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane,
by
uzyskać ‚powielanie ładunków’ i mające maksymalną czułość promieniowania
powyżej 10 mA/W przy długości fal powyżej 760 nm; oraz
specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and having a maximum
radiant
sensitivity exceeding 10 mA/W for wavelengths exceeding 760 nm; and
specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane,
by
uzyskać ‚powielanie ładunków’ i mające maksymalną czułość promieniowania
powyżej 10 mA/W przy długości fal powyżej 760 nm; oraz
Specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and having a maximum
radiant
sensitivity exceeding 10 mA/W;
Specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane,
by
uzyskać powielanie ładunków i mające maksymalną czułość promieniowania
powyżej 10 mA/W.
Specially designed or modified to achieve ’charge multiplication’ and having a maximum
radiant
sensitivity exceeding 10 mA/W;
Specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane,
by
uzyskać powielanie ładunków i mające maksymalną czułość promieniowania
powyżej 10 mA/W.
specially designed or modified to achieve "charge multiplication" and having a maximum
radiant
sensitivity exceeding 10 mA/W;
specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane,
by
uzyskać powielanie ładunków, i mające maksymalną czułość promieniowania
powyżej 10 mA/W.
specially designed or modified to achieve "charge multiplication" and having a maximum
radiant
sensitivity exceeding 10 mA/W;
specjalnie zaprojektowane lub zmodyfikowane,
by
uzyskać powielanie ładunków, i mające maksymalną czułość promieniowania
powyżej 10 mA/W. 
