Baza aktów prawnych Unii Europejskiej Cytaty odnotowujące konkretne użycie tłumaczeń słów angielsko-polskich i polsko-angielskich umieszczone w serwisie Translatica.pl pochodzą z Bazy danych DGT-TM, która jest wyłączną własnością Komisji Europejskiej i została udostępniona bezpłatnie i bez ograniczeń terytorialnych. Data dostępu do bazy 02.09.2019. Dokładne informacje nt. pochodzenia źródła tłumaczenia oraz daty powstania dokumentu w bazie DGT-TM zostały umieszczone pod poszczególnymi cytatami wraz z aktywnym odnośnikiem do oryginalnego dokumentu z bazy.
Lista cytatów w języku polskim i angielskim zawierająca frazę: azotek
„Podłoża” z węglika krzemu (SiC), azotku galu (GaN), azotku glinu (AlN) lub z
azotku
galu i glinu (AlGaN), lub wlewki, monokryształy lub inne preformy tych materiałów o rezystywności powyżej 10000...
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium
nitride
(AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities...
„Podłoża” z węglika krzemu (SiC), azotku galu (GaN), azotku glinu (AlN) lub z
azotku
galu i glinu (AlGaN), lub wlewki, monokryształy lub inne preformy tych materiałów o rezystywności powyżej 10000 Ω/cm w temperaturze 20 oC.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium
nitride
(AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
„Podłoża” z węglika krzemu (SiC), azotku galu (GaN), azotku glinu (AlN) lub z
azotku
galu i glinu (AlGaN), lub sztaby, kęsy lub inne preformy tych materiałów o rezystywności powyżej 10000 Ω/cm w...
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium
nitride
(AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities...
„Podłoża” z węglika krzemu (SiC), azotku galu (GaN), azotku glinu (AlN) lub z
azotku
galu i glinu (AlGaN), lub sztaby, kęsy lub inne preformy tych materiałów o rezystywności powyżej 10000 Ω/cm w temperaturze 20°C.
Silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium
nitride
(AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
...3C005 z co najmniej jedną warstwą epitaksjalną z węglika krzemu, azotku galu, azotku glinu lub
azotku
galu i glinu.
...in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium
nitride
or aluminium gallium nitride
.
„Podłoża” wyszczególnione w pozycji 3C005 z co najmniej jedną warstwą epitaksjalną z węglika krzemu, azotku galu, azotku glinu lub
azotku
galu i glinu.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium
nitride
or aluminium gallium nitride
.
...3C005 z co najmniej jedną warstwą epitaksjalną z węglika krzemu, azotku galu, azotku glinu lub
azotku
galu i glinu.
...in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium
nitride
or aluminium gallium nitride
.
„Podłoża” wymienione w pozycji 3C005 z co najmniej jedną warstwą epitaksjalną z węglika krzemu, azotku galu, azotku glinu lub
azotku
galu i glinu.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium
nitride
or aluminium gallium nitride
.
„Podłoża” z węglika krzemu (SiC),
azotku
galu (GaN), azotku glinu (AlN) lub z azotku galu i glinu (AlGaN), lub wlewki, monokryształy lub inne preformy tych materiałów o rezystywności powyżej 10000...
Silicon carbide (SiC), gallium
nitride
(GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities...
„Podłoża” z węglika krzemu (SiC),
azotku
galu (GaN), azotku glinu (AlN) lub z azotku galu i glinu (AlGaN), lub wlewki, monokryształy lub inne preformy tych materiałów o rezystywności powyżej 10000 Ω/cm w temperaturze 20 oC.
Silicon carbide (SiC), gallium
nitride
(GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
„Podłoża” z węglika krzemu (SiC),
azotku
galu (GaN), azotku glinu (AlN) lub z azotku galu i glinu (AlGaN), lub sztaby, kęsy lub inne preformy tych materiałów o rezystywności powyżej 10000 Ω/cm w...
Silicon carbide (SiC), gallium
nitride
(GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities...
„Podłoża” z węglika krzemu (SiC),
azotku
galu (GaN), azotku glinu (AlN) lub z azotku galu i glinu (AlGaN), lub sztaby, kęsy lub inne preformy tych materiałów o rezystywności powyżej 10000 Ω/cm w temperaturze 20°C.
Silicon carbide (SiC), gallium
nitride
(GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
...wyszczególnione w pozycji 3C005 z co najmniej jedną warstwą epitaksjalną z węglika krzemu,
azotku
galu, azotku glinu lub azotku galu i glinu.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
„Podłoża” wyszczególnione w pozycji 3C005 z co najmniej jedną warstwą epitaksjalną z węglika krzemu,
azotku
galu, azotku glinu lub azotku galu i glinu.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
„Podłoża” wymienione w pozycji 3C005 z co najmniej jedną warstwą epitaksjalną z węglika krzemu,
azotku
galu, azotku glinu lub azotku galu i glinu.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
„Podłoża” wymienione w pozycji 3C005 z co najmniej jedną warstwą epitaksjalną z węglika krzemu,
azotku
galu, azotku glinu lub azotku galu i glinu.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium nitride or aluminium gallium nitride.
5000 ppm dla związków kompleksowych lub pojedynczych
azotków
; oraz
5000 ppm for complex compounds or single
nitrides
; and
5000 ppm dla związków kompleksowych lub pojedynczych
azotków
; oraz
5000 ppm for complex compounds or single
nitrides
; and
5000 ppm dla związków kompleksowych lub pojedynczych
azotków
; oraz
5000 ppm for complex compounds or single
nitrides
; and
5000 ppm dla związków kompleksowych lub pojedynczych
azotków
; oraz
5000 ppm for complex compounds or single
nitrides
; and
5000 ppm dla związków kompleksowych lub pojedynczych
azotków
; oraz
5000 ppm for complex compounds or single
nitrides
; and
5000 ppm dla związków kompleksowych lub pojedynczych
azotków
; oraz
5000 ppm for complex compounds or single
nitrides
; and
poniżej 5000 ppm dla związków kompleksowych lub pojedynczych
azotków
; oraz
Less than 5000 ppm for complex compounds or single
nitrides
; and
poniżej 5000 ppm dla związków kompleksowych lub pojedynczych
azotków
; oraz
Less than 5000 ppm for complex compounds or single
nitrides
; and
poniżej 5000 ppm dla związków kompleksowych lub pojedynczych
azotków
; oraz
less than 5000 ppm for complex compounds or single
nitrides
; and
poniżej 5000 ppm dla związków kompleksowych lub pojedynczych
azotków
; oraz
less than 5000 ppm for complex compounds or single
nitrides
; and Azotek
tytanu o wielkości cząstek nie większej niż 250 nm, (CAS RN 25583-20-4)
Titanium
nitride
with a particle size of not more than 250 nm, (CAS RN 25583-20-4) Azotek
tytanu o wielkości cząstek nie większej niż 250 nm, (CAS RN 25583-20-4)
Titanium
nitride
with a particle size of not more than 250 nm, (CAS RN 25583-20-4) 
