Baza aktów prawnych Unii Europejskiej Cytaty odnotowujące konkretne użycie tłumaczeń słów angielsko-polskich i polsko-angielskich umieszczone w serwisie Translatica.pl pochodzą z Bazy danych DGT-TM, która jest wyłączną własnością Komisji Europejskiej i została udostępniona bezpłatnie i bez ograniczeń terytorialnych. Data dostępu do bazy 02.09.2019. Dokładne informacje nt. pochodzenia źródła tłumaczenia oraz daty powstania dokumentu w bazie DGT-TM zostały umieszczone pod poszczególnymi cytatami wraz z aktywnym odnośnikiem do oryginalnego dokumentu z bazy.
Lista cytatów w języku polskim i angielskim zawierająca frazę: nitride
Titanium
nitride
with a particle size of not more than 250 nm (CAS RN 25583-20-4) Azotek
tytanu o wielkości cząstek nie większej niż 250 nm (CAS RN 25583-20-4)
Titanium
nitride
with a particle size of not more than 250 nm (CAS RN 25583-20-4) Azotek
tytanu o wielkości cząstek nie większej niż 250 nm (CAS RN 25583-20-4)
Titanium
nitride
with a particle size of not more than 250 nm, (CAS RN 25583-20-4) Azotek
tytanu o wielkości cząstek nie większej niż 250 nm, (CAS RN 25583-20-4)
Titanium
nitride
with a particle size of not more than 250 nm, (CAS RN 25583-20-4) Azotek
tytanu o wielkości cząstek nie większej niż 250 nm, (CAS RN 25583-20-4)
Titanium
nitride
with a particle size of not more than 250 nm Azotek
tytanu o wielkości cząstek nie większej niż 250 nm
Titanium
nitride
with a particle size of not more than 250 nm Azotek
tytanu o wielkości cząstek nie większej niż 250 nm
Titanium
nitride
with a particle size of not more than 250 nm Azotek
tytanu o wielkości cząstek nie większej niż 250 nm
Titanium
nitride
with a particle size of not more than 250 nm Azotek
tytanu o wielkości cząstek nie większej niż 250 nm
Titanium
nitride
with a particle size of not more than 250 nm Azotek
tytanu o wielkości cząstek nie większej niż 250 nm
Titanium
nitride
with a particle size of not more than 250 nm Azotek
tytanu o wielkości cząstek nie większej niż 250 nm
Silicon
nitride
(Si3N4) rollers or balls
Wałki lub kulki z
azotku
krzemu (Si3N4)
Silicon
nitride
(Si3N4) rollers or balls
Wałki lub kulki z
azotku
krzemu (Si3N4)
Silicon
nitride
(Si3N4) rollers or balls
Wałki lub kulki z
azotku
krzemu (Si3N4)
Silicon
nitride
(Si3N4) rollers or balls
Wałki lub kulki z
azotku
krzemu (Si3N4)
Silicon
nitride
(Si3N4) rollers or balls
Wałki lub kulki z
azotku
krzemu (Si3N4)
Silicon
nitride
(Si3N4) rollers or balls
Wałki lub kulki z
azotku
krzemu (Si3N4)
Silicon
nitride
(Si3N4) balls
Kulki z
azotku
krzemu (Si3N4)
Silicon
nitride
(Si3N4) balls
Kulki z
azotku
krzemu (Si3N4)
...in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium
nitride
or aluminium gallium nitride.
...3C005 z co najmniej jedną warstwą epitaksjalną z węglika krzemu, azotku galu, azotku glinu lub
azotku
galu i glinu.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium
nitride
or aluminium gallium nitride.
„Podłoża” wyszczególnione w pozycji 3C005 z co najmniej jedną warstwą epitaksjalną z węglika krzemu, azotku galu, azotku glinu lub
azotku
galu i glinu.
...in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium
nitride
or aluminium gallium nitride.
...3C005 z co najmniej jedną warstwą epitaksjalną z węglika krzemu, azotku galu, azotku glinu lub
azotku
galu i glinu.
"Substrates" specified in 3C005 with at least one epitaxial layer of silicon carbide, gallium nitride, aluminium
nitride
or aluminium gallium nitride.
„Podłoża” wymienione w pozycji 3C005 z co najmniej jedną warstwą epitaksjalną z węglika krzemu, azotku galu, azotku glinu lub
azotku
galu i glinu.
In the PET, the agglomerates have a diameter of 100-500 nm consisting of primary titanium
nitride
nanoparticles; primary particles have a diameter of approximately 20 nm.
Skupiska w PET, składające się z pierwotnych nanocząstek
azotku
tytanu, mają średnicę 100–500 nm; cząstki pierwotne mają średnicę około 20 nm.
In the PET, the agglomerates have a diameter of 100-500 nm consisting of primary titanium
nitride
nanoparticles; primary particles have a diameter of approximately 20 nm.
Skupiska w PET, składające się z pierwotnych nanocząstek
azotku
tytanu, mają średnicę 100–500 nm; cząstki pierwotne mają średnicę około 20 nm.
In the PET, the agglomerates have a diameter of 100 – 500 nm consisting of primary titanium
nitride
nanoparticles; primary particles have a diameter of approximately 20 nm.
...około 20 nm. W skupiskach PET o średnicy 100-500 nm, składających się z pierwotnych nanocząstek
azotku
tytanu.
In the PET, the agglomerates have a diameter of 100 – 500 nm consisting of primary titanium
nitride
nanoparticles; primary particles have a diameter of approximately 20 nm.
Cząstki pierwotne o wymiarze około 20 nm. W skupiskach PET o średnicy 100-500 nm, składających się z pierwotnych nanocząstek
azotku
tytanu.
titanium
nitride
, nanoparticles Azotek
tytanu, nanocząstki
titanium
nitride
, nanoparticles Azotek
tytanu, nanocząstki
titanium
nitride
, nanoparticles Azotek
tytanu, nanocząstki
titanium
nitride
, nanoparticles Azotek
tytanu, nanocząstki
No migration of titanium
nitride
nanoparticles.
Brak migracji nanocząstek
azotku
tytanu.
No migration of titanium
nitride
nanoparticles.
Brak migracji nanocząstek
azotku
tytanu.
No migration of titanium
nitride
nanoparticles.
Brak migracji nanocząstek
azotku
tytanu.
No migration of titanium
nitride
nanoparticles.
Brak migracji nanocząstek
azotku
tytanu.
Silicon carbide (SiC), gallium
nitride
(GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities...
„Podłoża” z węglika krzemu (SiC),
azotku
galu (GaN), azotku glinu (AlN) lub z azotku galu i glinu (AlGaN), lub wlewki, monokryształy lub inne preformy tych materiałów o rezystywności powyżej 10000...
Silicon carbide (SiC), gallium
nitride
(GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
„Podłoża” z węglika krzemu (SiC),
azotku
galu (GaN), azotku glinu (AlN) lub z azotku galu i glinu (AlGaN), lub wlewki, monokryształy lub inne preformy tych materiałów o rezystywności powyżej 10000 Ω/cm w temperaturze 20 oC.
Silicon carbide (SiC), gallium
nitride
(GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities...
„Podłoża” z węglika krzemu (SiC),
azotku
galu (GaN), azotku glinu (AlN) lub z azotku galu i glinu (AlGaN), lub sztaby, kęsy lub inne preformy tych materiałów o rezystywności powyżej 10000 Ω/cm w...
Silicon carbide (SiC), gallium
nitride
(GaN), aluminium nitride (AlN) or aluminium gallium nitride (AlGaN) "substrates", or ingots, boules, or other preforms of those materials, having resistivities greater than 10000 ohm-cm at 20 °C.
„Podłoża” z węglika krzemu (SiC),
azotku
galu (GaN), azotku glinu (AlN) lub z azotku galu i glinu (AlGaN), lub sztaby, kęsy lub inne preformy tych materiałów o rezystywności powyżej 10000 Ω/cm w temperaturze 20°C.
polysilazanes (for producing silicon
nitride
);
polisilazany (do produkcji
azotka
krzemu);
polysilazanes (for producing silicon
nitride
);
polisilazany (do produkcji
azotka
krzemu); 
