Baza aktów prawnych Unii Europejskiej Cytaty odnotowujące konkretne użycie tłumaczeń słów angielsko-polskich i polsko-angielskich umieszczone w serwisie Translatica.pl pochodzą z Bazy danych DGT-TM, która jest wyłączną własnością Komisji Europejskiej i została udostępniona bezpłatnie i bez ograniczeń terytorialnych. Data dostępu do bazy 02.09.2019. Dokładne informacje nt. pochodzenia źródła tłumaczenia oraz daty powstania dokumentu w bazie DGT-TM zostały umieszczone pod poszczególnymi cytatami wraz z aktywnym odnośnikiem do oryginalnego dokumentu z bazy.
Lista cytatów w języku polskim i angielskim zawierająca frazę: sputter
Apparatus for physical deposition by
sputtering
on liquid crystal devices (LCD) substrates
Aparatura do fizycznego osadzania
powłok poprzez rozpylanie
na podłożach wyświetlaczy ciekłokrystalicznych
Apparatus for physical deposition by
sputtering
on liquid crystal devices (LCD) substrates
Aparatura do fizycznego osadzania
powłok poprzez rozpylanie
na podłożach wyświetlaczy ciekłokrystalicznych
Apparatus for physical deposition by
sputtering
on liquid crystal devices (LCD) substrates
Aparatura do fizycznego osadzania
powłok poprzez rozpylanie
na podłożach wyświetlaczy ciekłokrystalicznych
Apparatus for physical deposition by
sputtering
on liquid crystal devices (LCD) substrates
Aparatura do fizycznego osadzania
powłok poprzez rozpylanie
na podłożach wyświetlaczy ciekłokrystalicznych
Apparatus for physical deposition by
sputtering
on liquid crystal devices (LCD) substrates
Aparatura do fizycznego osadzania
powłok poprzez rozpylanie
na podłożach wyświetlaczy ciekłokrystalicznych
Apparatus for physical deposition by
sputtering
on liquid crystal devices (LCD) substrates
Aparatura do fizycznego osadzania
powłok poprzez rozpylanie
na podłożach wyświetlaczy ciekłokrystalicznych
Parts of apparatus for physical deposition by
sputtering
on liquid crystal devices (LCD) substrates
Części aparatury do fizycznego osadzania
powłok poprzez rozpylanie
na podłożach wyświetlaczy ciekłokrystalicznych
Parts of apparatus for physical deposition by
sputtering
on liquid crystal devices (LCD) substrates
Części aparatury do fizycznego osadzania
powłok poprzez rozpylanie
na podłożach wyświetlaczy ciekłokrystalicznych
Parts of apparatus for physical deposition by
sputtering
on liquid crystal devices (LCD) substrates
Części aparatury do fizycznego osadzania
powłok poprzez rozpylanie
na podłożach wyświetlaczy ciekłokrystalicznych
Parts of apparatus for physical deposition by
sputtering
on liquid crystal devices (LCD) substrates
Części aparatury do fizycznego osadzania
powłok poprzez rozpylanie
na podłożach wyświetlaczy ciekłokrystalicznych
Parts of apparatus for physical deposition by
sputtering
on liquid crystal devices (LCD) substrates
Części aparatury do fizycznego osadzania
powłok poprzez rozpylanie
na podłożach wyświetlaczy ciekłokrystalicznych
Parts of apparatus for physical deposition by
sputtering
on liquid crystal devices (LCD) substrates
Części aparatury do fizycznego osadzania
powłok poprzez rozpylanie
na podłożach wyświetlaczy ciekłokrystalicznych
metallised by
sputtering
with copper and plated on one side or on both sides with refined copper or
metalizowana poprzez
rozpylanie jonowe
miedzi i platerowana z jednej lub obydwu stron miedzią rafinowaną,
metallised by
sputtering
with copper and plated on one side or on both sides with refined copper or
metalizowana poprzez
rozpylanie jonowe
miedzi i platerowana z jednej lub obydwu stron miedzią rafinowaną,
metallized by
sputtering
with copper and plated on one side or on both sides with refined copper or metalizowana
poprzez rozpylanie jonowe
miedzi i platerowana z jednej lub obydwu stron miedzią rafinowaną lub;
metallized by
sputtering
with copper and plated on one side or on both sides with refined copper or metalizowana
poprzez rozpylanie jonowe
miedzi i platerowana z jednej lub obydwu stron miedzią rafinowaną lub;
metallized by
sputtering
with copper and plated on one side or on both sides with refined copper or metalizowana
poprzez rozpylanie jonowe
miedzi i platerowana z jednej lub obydwu stron miedzią rafinowaną;
metallized by
sputtering
with copper and plated on one side or on both sides with refined copper or metalizowana
poprzez rozpylanie jonowe
miedzi i platerowana z jednej lub obydwu stron miedzią rafinowaną;
metallized by
sputtering
with copper on one side or on both sides, metalizowana
poprzez rozpylanie jonowe
miedzi z jednej lub obydwu stron;
metallized by
sputtering
with copper on one side or on both sides, metalizowana
poprzez rozpylanie jonowe
miedzi z jednej lub obydwu stron;
metallized by
sputtering
with copper on one side or on both sides, metalizowana
poprzez rozpylanie jonowe
miedzi z jednej lub obydwu stron;
metallized by
sputtering
with copper on one side or on both sides, metalizowana
poprzez rozpylanie jonowe
miedzi z jednej lub obydwu stron;
metallised by
sputtering
with copper on one side or on both sides,
metalizowana poprzez
rozpylanie jonowe
miedzi z jednej lub obydwu stron,
metallised by
sputtering
with copper on one side or on both sides,
metalizowana poprzez
rozpylanie jonowe
miedzi z jednej lub obydwu stron,
When the glue/silver dag is dry,
sputter
coat approximately 50 nm of gold or gold/palladium onto the surface of the deposit.
Po wyschnięciu kleju/srebra koloidalnego
napylić
ok. 50 nm warstwę złota lub złota/palladu na powierzchnię osadu.
When the glue/silver dag is dry,
sputter
coat approximately 50 nm of gold or gold/palladium onto the surface of the deposit.
Po wyschnięciu kleju/srebra koloidalnego
napylić
ok. 50 nm warstwę złota lub złota/palladu na powierzchnię osadu.
Mercury used as a cathode
sputtering
inhibitor in DC plasma displays with a content up to 30 mg per display until 1 July 2010.
Rtęć stosowana jako inhibitor
rozpylania
katodowego w wyświetlaczach plazmowych na prąd stały o zawartości do 30 mg na wyświetlacz do dnia 1 lipca 2010 r.
Mercury used as a cathode
sputtering
inhibitor in DC plasma displays with a content up to 30 mg per display until 1 July 2010.
Rtęć stosowana jako inhibitor
rozpylania
katodowego w wyświetlaczach plazmowych na prąd stały o zawartości do 30 mg na wyświetlacz do dnia 1 lipca 2010 r.
Mercury used as a cathode
sputtering
inhibitor in DC plasma displays with a content up to 30 mg per display
Rtęć stosowana jako inhibitor
rozpylania
katodowego w wyświetlaczach plazmowych na prąd stały o zawartości do 30 mg na jeden wyświetlacz
Mercury used as a cathode
sputtering
inhibitor in DC plasma displays with a content up to 30 mg per display
Rtęć stosowana jako inhibitor
rozpylania
katodowego w wyświetlaczach plazmowych na prąd stały o zawartości do 30 mg na jeden wyświetlacz
Mercury used as a cathode
sputtering
inhibitor in DC plasma displays with a content up to 30 mg per display
Rtęć stosowana jako inhibitor
rozpylania
katodowego w wyświetlaczach plazmowych na prąd stały o zawartości do 30 mg na jeden wyświetlacz
Mercury used as a cathode
sputtering
inhibitor in DC plasma displays with a content up to 30 mg per display
Rtęć stosowana jako inhibitor
rozpylania
katodowego w wyświetlaczach plazmowych na prąd stały o zawartości do 30 mg na jeden wyświetlacz
Substitution for mercury used as a cathode
sputtering
inhibitor in DC plasma displays with content of up to 30 mg per display is currently technically impracticable, but should be practicable by 1...
Zastąpienie rtęci stosowanej jako inhibitor
rozpylania
katodowego w wyświetlaczach plazmowych na prąd stały o zawartości do 30 mg na wyświetlacz jest obecnie niewykonalne technicznie, ale powinno być...
Substitution for mercury used as a cathode
sputtering
inhibitor in DC plasma displays with content of up to 30 mg per display is currently technically impracticable, but should be practicable by 1 July 2010.
Zastąpienie rtęci stosowanej jako inhibitor
rozpylania
katodowego w wyświetlaczach plazmowych na prąd stały o zawartości do 30 mg na wyświetlacz jest obecnie niewykonalne technicznie, ale powinno być wykonalne do dnia 1 lipca 2010 r.
Electroburst equipment usable for obtaining
sputtered
or spherical metallic powders with organisation of the process in an argon-water environment;
Urządzenia elektroimpulsowe nadające się do otrzymywania pylistych lub sferycznych proszków metali, z organizacją procesu w środowisku argon-woda;
Electroburst equipment usable for obtaining
sputtered
or spherical metallic powders with organisation of the process in an argon-water environment;
Urządzenia elektroimpulsowe nadające się do otrzymywania pylistych lub sferycznych proszków metali, z organizacją procesu w środowisku argon-woda;
electroburst equipment usable for obtaining
sputtered
or spherical metallic powders with organisation of the process in an argon-water environment;
urządzenia elektroimpulsowe nadające się do otrzymywania pylistych lub sferycznych proszków metali, z organizacją procesu w środowisku argon-woda;
electroburst equipment usable for obtaining
sputtered
or spherical metallic powders with organisation of the process in an argon-water environment;
urządzenia elektroimpulsowe nadające się do otrzymywania pylistych lub sferycznych proszków metali, z organizacją procesu w środowisku argon-woda;
electroburst equipment usable for obtaining
sputtered
or spherical metallic powders with organisation of the process in an argon-water environment;
urządzenia elektroimpulsowe nadające się do otrzymywania pylistych lub sferycznych proszków metali, z organizacją procesu w środowisku argon-woda;
electroburst equipment usable for obtaining
sputtered
or spherical metallic powders with organisation of the process in an argon-water environment;
urządzenia elektroimpulsowe nadające się do otrzymywania pylistych lub sferycznych proszków metali, z organizacją procesu w środowisku argon-woda;
